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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFH7911TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7911TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7911TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
18-PowerVQFN
Scheda dati
IRFH7911TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7911TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V  
Potenza - Max 2.4W, 3.4W  
Contenitore / involucro 18-PowerVQFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A, 28A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFH7911  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7911TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
Modello di prodotti IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
fabbricante Infineon Technologies IR Infineon Technologies IR
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V - 12 nC @ 4.5 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V - 1160 pF @ 15 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Contenitore / involucro 18-PowerVQFN - 8-PowerTDFN -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA - 2.35V @ 25µA -
Numero di prodotto di base IRFH7911 - - -
Potenza - Max 2.4W, 3.4W - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Serie HEXFET® - - -
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6) -
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V - 8.7mOhm @ 14A, 10V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - 30 V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A, 28A - 15A (Ta), 35A (Tc) -

IRFH7911TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7911TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 13/Apr/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site Addition 18/Sep/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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