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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7885TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7885TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7885TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7885TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VQFN
Scheda dati
IRFH7885TRPBF.pdf
In magazzino: 4110

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7885TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7885TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7885TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-VQFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2311 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7885TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7885TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TRPBF
Modello di prodotti IRFH7885TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta) 85A (Tc) 15A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 83W (Tc) 3.1W (Ta) 104W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Contenitore / involucro 8-VQFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 138 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2311 pF @ 40 V 3890 pF @ 25 V 1160 pF @ 15 V 4574 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V 5.2mOhm @ 51A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Serie FASTIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 60 V 30 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 150µA 3.7V @ 100µA 2.35V @ 25µA 3.9V @ 100µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFH7885TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7885TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7885TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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