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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH5025TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5025TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5025TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5025TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18221

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5025TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5025TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5025TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFH5025  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5025TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH5025TRPBF IRFH5104TR2PBF IRFH5010TRPBF IRFH5025TR2PBF
Modello di prodotti IRFH5025TRPBF IRFH5104TR2PBF IRFH5010TRPBF IRFH5025TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 40 V 100 V 250 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta) 24A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc) 3.8A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 150µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 5V @ 150µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 50 V 3120 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V 2150 pF @ 50 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRFH5025 - IRFH5010 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFH5025TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5025TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5025TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Revision 03/Feb/2015.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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