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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFH5015TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5015TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5015TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5015TR2PBF.pdf
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In magazzino: 4690

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5015TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5015TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5015TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 150µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 31mOhm @ 34A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 56A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5015TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH5015TR2PBF IRFH5007TR2PBF IRFH5006TRPBF IRFH5025TR2PBF
Modello di prodotti IRFH5015TR2PBF IRFH5007TR2PBF IRFH5006TRPBF IRFH5025TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 150µA
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V 4290 pF @ 25 V 4175 pF @ 30 V 2150 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 75 V 60 V 250 V
Rds On (max) a Id, Vgs 31mOhm @ 34A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 4.1mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 5.7A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Bulk Bulk Cut Tape (CT)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 56A (Tc) 17A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.8A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFH5015TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5015TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5015TR2PBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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