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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7905PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7905PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7905PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7905PBF.pdf
In magazzino: 5270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7905PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7905PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7905PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A, 8.9A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7905  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7905PBF

Proprietà del prodotto IRF7905PBF IRF7904PBF IRF7904TRPBF IRF7907PBF
Modello di prodotti IRF7905PBF IRF7904PBF IRF7904TRPBF IRF7907PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 2W 1.4W, 2W 1.4W, 2W 2W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A, 8.9A 7.6A, 11A 7.6A, 11A 9.1A, 11A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V 910pF @ 15V 910pF @ 15V 850pF @ 15V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Numero di prodotto di base IRF7905 IRF7904 IRF7904 IRF7907
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Rds On (max) a Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)

IRF7905PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7905PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7905PBF - Infineon Technologies.

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