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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7904PBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7904PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7904PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7904PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7904PBF.pdf
In magazzino: 3620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7904PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7904PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7904PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V  
Potenza - Max 1.4W, 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A, 11A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7904  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7904PBF

Proprietà del prodotto IRF7904PBF IRF7905TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7904TRPBF
Modello di prodotti IRF7904PBF IRF7905TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7904TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 6.9nC @ 4.5V 10.5nC @ 5V 11nC @ 4.5V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A, 11A 7.8A, 8.9A 6.2A 7.6A, 11A
Numero di prodotto di base IRF7904 IRF7905 IRF7901 IRF7904
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V 600pF @ 15V 780pF @ 16V 910pF @ 15V
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 1V @ 250µA 2.25V @ 25µA
Potenza - Max 1.4W, 2W 2W 2W 1.4W, 2W
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 21.8mOhm @ 7.8A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRF7904PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7904PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7904PBF - Infineon Technologies.

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