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IRF7901D1 Image
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IRF7901D1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7901D1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7901D1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7901D1.pdf
In magazzino: 5010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7901D1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7901D1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7901D1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie FETKY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7901  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7901D1

Proprietà del prodotto IRF7901D1 IRF7902TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7901D1TR
Modello di prodotti IRF7901D1 IRF7902TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7901D1TR
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie FETKY™ HEXFET® FETKY™ FETKY™
Numero di prodotto di base IRF7901 IRF7902 IRF7901 IRF7901
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A 6.4A (Ta), 9.7A (Ta) 6.2A 6.2A
Potenza - Max 2W 1.4W (Ta), 2W (Ta) 2W 2W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 10.5nC @ 5V 10.5nC @ 5V
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V 580pF @ 15V, 900pF @ 15V 780pF @ 16V 780pF @ 16V
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V 38mOhm @ 5A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2.25V @ 25µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7901D1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7901D1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7901D1 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF7901D1.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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