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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7855TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7855TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7855TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7855TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7855TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7855TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7855TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7855TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRF7855  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7855TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7855TRPBF IRF7853PBF IRF7853TRPBF IRF7855PBF
Modello di prodotti IRF7855TRPBF IRF7853PBF IRF7853TRPBF IRF7855PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V 1640 pF @ 25 V 1640 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRF7855 - IRF7853 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta) 12A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Rds On (max) a Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V

IRF7855TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7855TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7855TRPBF - Infineon Technologies.

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