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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7807Z
IRF7807Z Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7807Z - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7807Z
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7807Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7807Z.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5060

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7807Z
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7807Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7807Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7807Z

Proprietà del prodotto IRF7807Z IRF7807VD2 IRF7807VTR IRF7807ZTR
Modello di prodotti IRF7807Z IRF7807VD2 IRF7807VTR IRF7807ZTR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V - - 770 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta) 11A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 13.8mOhm @ 11A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® FETKY™ HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V 4.5V 4.5V, 10V

IRF7807Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7807Z PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7807Z - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRF7807Z.pdf

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Europa Germania 5
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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