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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7807VTRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7807VTRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF7807VTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7807VTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
PLANAR <=40V
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7807VTRPBF.pdf
In magazzino: 4110

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7807VTRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF7807VTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF7807VTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta)  

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Proprietà del prodotto IRF7807VTRPBF IRF7807ZTRPBF IRF7809ATR IRF7807TRPBF
Modello di prodotti IRF7807VTRPBF IRF7807ZTRPBF IRF7809ATR IRF7807TRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V 13.8mOhm @ 11A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V 75 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta) 11A (Ta) 14.5A (Ta) 8.3A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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