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IRF7805QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7805QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7805QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7805QPbF.pdf
In magazzino: 4770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7805QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7805QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7805QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7805QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7805QTRPBF IRF7805TRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7805PBF
Modello di prodotti IRF7805QTRPBF IRF7805TRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7805PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Pacchetto Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO DirectFET™ Isometric L8 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V 150 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 7A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 150 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) 13A (Ta) 67A (Tc) 13A (Ta)

IRF7805QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7805QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7805QTRPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
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PCN Obsolescence/ EOL
EOL527R 04/May/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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