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IRF7805ATRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7805ATRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7805ATRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7805ATRPBF.pdf
In magazzino: 4650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7805ATRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7805ATRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7805ATRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7805ATRPBF

Proprietà del prodotto IRF7805ATRPBF IRF7780MTRPBF IRF7759L2TRPBF IRF7805ATR
Modello di prodotti IRF7805ATRPBF IRF7780MTRPBF IRF7759L2TRPBF IRF7805ATR
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 6V, 10V 10V 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 75 V 75 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric ME DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3.7V @ 150µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) 89A (Tc) 26A (Ta), 375A (Tc) 13A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO DirectFET™ Isometric ME DirectFET™ Isometric L8 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V 186 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V 5.7mOhm @ 53A, 10V 2.3mOhm @ 96A, 10V 11mOhm @ 7A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V

IRF7805ATRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7805ATRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7805ATRPBF - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
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