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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7506TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7506TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7506TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7506TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7506TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7506TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7506TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7506TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7506  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7506TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7506TRPBF IRF7509TR IRF7506TR IRF7503TR
Modello di prodotti IRF7506TRPBF IRF7509TR IRF7506TR IRF7503TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Numero di prodotto di base IRF7506 IRF7509 IRF7506 IRF7503
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V 210pF @ 25V 180pF @ 25V 210pF @ 25V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Potenza - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V 12nC @ 10V 11nC @ 10V 12nC @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V 110mOhm @ 1.4A, 10V 270mOhm @ 1.2A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A 2.7A, 2A 1.7A 2.4A

IRF7506TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7506TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7506TRPBF - Infineon Technologies.

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