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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7503TR
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7503TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7503TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7503TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7503.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4320

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7503TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7503TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7503TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7503  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7503TR

Proprietà del prodotto IRF7503TR IRF7501TR IRF7503TRPBF IRF7504TRPBF
Modello di prodotti IRF7503TR IRF7501TR IRF7503TRPBF IRF7504TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 8nC @ 4.5V 12nC @ 10V 8.2nC @ 4.5V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A 2.4A 2.4A 1.7A
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 30V 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 4.5V 135mOhm @ 1.7A, 10V 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V 260pF @ 15V 210pF @ 25V 240pF @ 15V
Potenza - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base IRF7503 IRF7501 IRF7503 IRF7504
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

IRF7503TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7503TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7503TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF7503.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
(PMD) Leaded Parts 25/May/2012.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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