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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7501TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7501TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7501TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7501TRPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3680

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7501TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7501TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7501TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF7501  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7501TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7501TRPBF IRF7501TR IRF7503TRPBF IRF7503TR
Modello di prodotti IRF7501TRPBF IRF7501TR IRF7503TRPBF IRF7503TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V 8nC @ 4.5V 12nC @ 10V 12nC @ 10V
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A 2.4A 2.4A 2.4A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V 260pF @ 15V 210pF @ 25V 210pF @ 25V
Numero di prodotto di base IRF7501 IRF7501 IRF7503 IRF7503
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V 135mOhm @ 1.7A, 4.5V 135mOhm @ 1.7A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V

IRF7501TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7501TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7501TRPBF - Infineon Technologies.

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