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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7453TR
IRF7453TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7453TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7453TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7453TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7453.pdf
In magazzino: 4130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7453TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7453TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7453TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 1.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7453TR

Proprietà del prodotto IRF7453TR IRF7452TR IRF7456PBF IRF7452QTRPBF
Modello di prodotti IRF7453TR IRF7452TR IRF7456PBF IRF7452QTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2.8V, 10V -
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 1.3A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 6.5mOhm @ 16A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 2V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 100 V 20 V 100 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 16A (Ta) 4.5A (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±12V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 62 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 3640 pF @ 15 V 930 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7453TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7453TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7453TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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PCN Obsolescence/ EOL
EOL503 14/Jul/2010.pdf
Schede tecniche
IRF7453.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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