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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7452QTRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7452QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7452QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7452QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7452QTRPBF.pdf
In magazzino: 4440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7452QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7452QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7452QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7452QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7452QTRPBF IRF7453TR IRF7452 IRF7452TRPBF
Modello di prodotti IRF7452QTRPBF IRF7453TR IRF7452 IRF7452TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 4.5A (Ta)

IRF7452QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7452QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7452QTRPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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