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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7309PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7309PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF7309PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7309PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7309PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7309PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF7309PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF7309PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Potenza - Max 1.4W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF, 440pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta), 3A (Ta)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF73  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF7309PBF

Proprietà del prodotto IRF7309PBF IRF7309QTRPBF IRF7307TRPBF IRF7309TRPBF
Modello di prodotti IRF7309PBF IRF7309QTRPBF IRF7307TRPBF IRF7309TRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta), 3A (Ta) 4A, 3A 5.2A, 4.3A 4A, 3A
Potenza - Max 1.4W (Ta) 1.4W 2W 1.4W
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 20V 30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF, 440pF @ 15V 520pF @ 15V 660pF @ 15V 520pF @ 15V
Numero di prodotto di base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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