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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7307QTRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7307QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7307QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7307QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7307QPbF.pdf
In magazzino: 5400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7307QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7307QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7307QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A, 4.3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF73  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7307QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7307QTRPBF IRF7309QTRPBF IRF7306PBF IRF7307TRPBF
Modello di prodotti IRF7307QTRPBF IRF7309QTRPBF IRF7306PBF IRF7307TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Numero di prodotto di base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A, 4.3A 4A, 3A 3.6A (Ta) 5.2A, 4.3A
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza - Max 2W 1.4W 2W (Ta) 2W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V 25nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 520pF @ 15V 440pF @ 25V 660pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

IRF7307QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7307QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7307QTRPBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IRF7307QPbF.pdf

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