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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7304TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7304TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7304TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7304TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7304TRPBF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3830

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7304TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7304TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7304TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF73  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7304TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7304TRPBF IRF7303PBF IRF7306PBF IRF7304QTRPBF
Modello di prodotti IRF7304TRPBF IRF7303PBF IRF7306PBF IRF7304QTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 25nC @ 10V 25nC @ 10V 22nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Potenza - Max 2W 2W 2W (Ta) 2W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V 520pF @ 25V 440pF @ 25V 610pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A 4.9A 3.6A (Ta) 4.3A
Numero di prodotto di base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73

IRF7304TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7304TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7304TRPBF - Infineon Technologies.

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