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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7304PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7304PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF7304PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7304PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7304PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4950

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7304PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF7304PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF7304PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Potenza - Max 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF73  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF7304PBF

Proprietà del prodotto IRF7304PBF IRF7304TR IRF7301PBF IRF7306TR
Modello di prodotti IRF7304PBF IRF7304TR IRF7301PBF IRF7306TR
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta) 4.3A 5.2A 3.6A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRF73 IRF73 IRF73 -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V 610pF @ 15V 660pF @ 15V 440pF @ 25V
Potenza - Max 2W (Ta) 2W 2W 2W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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