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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6710S2TR1PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6710S2TR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6710S2TR1PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric S1
Scheda dati
IRF6710S2TR1PBF.pdf
In magazzino: 5460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6710S2TR1PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6710S2TR1PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6710S2TR1PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric S1  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric S1  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF

Proprietà del prodotto IRF6710S2TR1PBF IRF6691TR1 IRF6712STR1PBF IRF6709S2TRPBF
Modello di prodotti IRF6710S2TR1PBF IRF6691TR1 IRF6712STR1PBF IRF6709S2TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 20 V 25 V 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 4.9mOhm @ 17A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V 6580 pF @ 10 V 1570 pF @ 13 V 1010 pF @ 13 V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 50µA 2.35V @ 25µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 17A (Ta), 68A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric S1
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ SQ DirectFET™ Isometric S1

IRF6710S2TR1PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6710S2TR1PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6710S2TR1PBF - Infineon Technologies.

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