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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6706S2TR1PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6706S2TR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6706S2TR1PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric S1
Scheda dati
IRF6706S2TR(1)PbF.pdf
In magazzino: 40030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6706S2TR1PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6706S2TR1PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6706S2TR1PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric S1  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 26W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric S1  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 63A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF

Proprietà del prodotto IRF6706S2TR1PBF IRF6678TR1PBF IRF6709S2TRPBF IRF6678
Modello di prodotti IRF6706S2TR1PBF IRF6678TR1PBF IRF6709S2TRPBF IRF6678
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MX
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MX
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 13 V 5640 pF @ 15 V 1010 pF @ 13 V 5640 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.25V @ 250µA 2.35V @ 25µA 2.25V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 63A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 17A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IRF6706S2TR1PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6706S2TR1PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6706S2TR1PBF - Infineon Technologies.

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