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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF3717TR
IRF3717TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF3717TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF3717TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF3717TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF3717.pdf
In magazzino: 4070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF3717TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF3717TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF3717TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.45V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF3717TR

Proprietà del prodotto IRF3717TR IRF3711STRRPBF IRF3805 IRF3717PBF
Modello di prodotti IRF3717TR IRF3711STRRPBF IRF3805 IRF3717PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 10 V 2980 pF @ 10 V 7960 pF @ 25 V 2890 pF @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 2.45V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO D2PAK TO-220AB 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta) 110A (Tc) 75A (Tc) 20A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 290 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 55 V 20 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 330W (Tc) 2.5W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRF3717TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF3717TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF3717TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF3717.pdf

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