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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF3711ZCL
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF3711ZCL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF3711ZCL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF3711ZCL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 92A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRF3711ZCS/ZCL.pdf
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF3711ZCL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF3711ZCL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF3711ZCL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.45V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF3711ZCL

Proprietà del prodotto IRF3711ZCL IRF3717TR IRF3711STRLPBF IRF3711ZCS
Modello di prodotti IRF3711ZCL IRF3717TR IRF3711STRLPBF IRF3711ZCS
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 2.45V @ 250µA 2.45V @ 250µA 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 8-SO D2PAK D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc) 20A (Ta) 110A (Tc) 92A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 79W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V 2890 pF @ 10 V 2980 pF @ 10 V 2150 pF @ 10 V

IRF3711ZCL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF3711ZCL PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF3711ZCL - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF3711ZCS/ZCL.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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