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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF3710ZSTRRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF3710ZSTRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF3710ZSTRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF3710ZSTRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF3710Z(S,L)PbF.pdf
In magazzino: 4770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF3710ZSTRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF3710ZSTRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF3710ZSTRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)  

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Proprietà del prodotto IRF3710ZSTRRPBF IRF3711 IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
Modello di prodotti IRF3710ZSTRRPBF IRF3711 IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc) 110A (Tc) 59A (Tc) 110A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 160W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 20 V 100 V 20 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

IRF3710ZSTRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF3710ZSTRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF3710ZSTRRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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