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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF3710ZSTRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF3710ZSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF3710ZSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF3710ZSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF3710ZSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26063

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF3710ZSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF3710ZSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF3710ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF3710  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF3710ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRF3710ZSTRLPBF IRF3710STRR IRF3711STRLPBF IRF3710ZSTRRPBF
Modello di prodotti IRF3710ZSTRLPBF IRF3710STRR IRF3711STRLPBF IRF3710ZSTRRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 20 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 160W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF3710 - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc) 57A (Tc) 110A (Tc) 59A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 28A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 3130 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V

IRF3710ZSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF3710ZSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF3710ZSTRLPBF - Infineon Technologies.

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