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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF200P222 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF200P222
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF200P222
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRF200P222.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6762

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF200P222
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF200P222, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF200P222

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 556W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF200P222

Proprietà del prodotto IRF200P222 IRF200B211 IRF200S234 IRF1902TRPBF
Modello di prodotti IRF200P222 IRF200B211 IRF200S234 IRF1902TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-220AB PG-TO263-3 8-SO
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 556W (Tc) 80W (Tc) 417W (Tc) 2.5W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA 4.9V @ 50µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 20 V
Serie StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc) 12A (Tc) 90A 4.2A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V 790 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V 170mOhm @ 7.2A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 2.7V, 4.5V
Numero di prodotto di base IRF200 IRF200 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF200P222 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF200P222 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF200P222 - Infineon Technologies.

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