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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF200B211
IRF200B211 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF200B211 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF200B211
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF200B211
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF200B211.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 69080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF200B211
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF200B211, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF200B211

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF200B211

Proprietà del prodotto IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
Modello di prodotti IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) 417W (Tc) - 313W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 102 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 20 V 200 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET® StrongIRFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V 5094 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 4.9V @ 50µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 270µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IRF200 - - IRF200
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 11.5mOhm @ 60A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 90A 4.2A (Ta) 100A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB PG-TO263-3 8-SO TO-247AC
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

IRF200B211 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF200B211 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF200B211 - Infineon Technologies.

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