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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1324PBF
IRF1324PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1324PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1324PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1324PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF1324PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22882

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1324PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1324PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1324PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 24 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1324  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1324PBF

Proprietà del prodotto IRF1324PBF IRF1324STRL-7PP IRF1312PBF IRF1324STRLPBF
Modello di prodotti IRF1324PBF IRF1324STRL-7PP IRF1312PBF IRF1324STRLPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 24 V 24 V 80 V 24 V
Numero di prodotto di base IRF1324 - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) 300W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 195A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 10mOhm @ 57A, 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK (7-Lead) TO-220AB D2PAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V 7700 pF @ 19 V 5450 pF @ 25 V 7590 pF @ 24 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 240A (Tc) 95A (Tc) 195A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF1324PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1324PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1324PBF - Infineon Technologies.

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