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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1324LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1324LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1324LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1324LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRF1324(L,S)PBF.pdf
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1324LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1324LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1324LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 24 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1324LPBF

Proprietà del prodotto IRF1324LPBF IRF1312PBF IRF1324S-7PPBF IRF1324SPBF
Modello di prodotti IRF1324LPBF IRF1312PBF IRF1324S-7PPBF IRF1324SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 24 V 80 V 24 V 24 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V 5450 pF @ 25 V 7700 pF @ 19 V 7590 pF @ 24 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V 10mOhm @ 57A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-220AB D2PAK (7-Lead) D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 95A (Tc) 240A (Tc) 195A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF1324LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1324LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1324LPBF - Infineon Technologies.

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