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IR2118 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2118
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2118
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
In magazzino: 12410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2118
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2118, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2118

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR2118  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2118

Proprietà del prodotto IR2118 IR2117 IR2118STR IR2117STR
Modello di prodotti IR2118 IR2117 IR2118STR IR2117STR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Configurazione guidata High-Side High-Side High-Side High-Side
Frequenza di ingresso 1 1 1 1
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IR2118 IR2117 IR2118 IR2117
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tipo di ingresso Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V

IR2118 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2118 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2118 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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