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IR2117PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2117PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2117PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2117PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2117PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2117PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR2117  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2117PBF

Proprietà del prodotto IR2117PBF IR2114SSPBF IR2117STRPBF IR2118STR
Modello di prodotti IR2117PBF IR2114SSPBF IR2117STRPBF IR2118STR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 24ns, 7ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Frequenza di ingresso 1 2 1 1
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Numero di prodotto di base IR2117 IR2114 IR2117 IR2118
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.8V, 2V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Independent Single Single
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Configurazione guidata High-Side Half-Bridge High-Side High-Side
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 2A, 3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 24-SSOP 8-SOIC 8-SOIC

IR2117PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2117PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2117PBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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