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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPW60R041C6
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPW60R041C6 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPW60R041C6
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPW60R041C6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
IPW60R041C6.pdf
In magazzino: 4340

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPW60R041C6
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPW60R041C6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPW60R041C6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPW60R041C6

Proprietà del prodotto IPW60R041C6 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1
Modello di prodotti IPW60R041C6 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) - 600 V 600 V 650 V
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) - 481W (Tc) 227W (Tc) 255W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs - 41mOhm @ 35.5A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 77.5A (Tc) 50A (Tc) 76A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio - Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro - TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V
Tipo FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 8180 pF @ 100 V 4340 pF @ 400 V 5243 pF @ 400 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id - 4.5V @ 2.96mA 4V @ 1.24mA 4V @ 1.48mA

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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