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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPW60R040CFD7XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPW60R040CFD7XKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IPW60R040CFD7XKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7159

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPW60R040CFD7XKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPW60R040CFD7XKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPW60R040CFD7XKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.25mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPW60R040  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPW60R040CFD7XKSA1

Proprietà del prodotto IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 IPW60R041P6FKSA1
Modello di prodotti IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 IPW60R041P6FKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V 41mOhm @ 35.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V 4340 pF @ 400 V 5243 pF @ 400 V 8180 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 255W (Tc) 481W (Tc)
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ C7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 76A (Tc) 77.5A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IPW60R040 IPW60R040 IPW60R037 IPW60R041
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.25mA 4V @ 1.24mA 4V @ 1.48mA 4.5V @ 2.96mA
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IPW60R040CFD7XKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPW60R040CFD7XKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/t Chgs 24/Aug/2022.pdf

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