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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP120P04P4L03AKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP120P04P4L03AKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP120P04P4L03AKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP120P04P4L03AKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP120P04P4L03AKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP120P04P4L03AKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP120P04P4L03AKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 340µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP120  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP120P04P4L03AKSA1

Proprietà del prodotto IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G IPP120N20NFDAKSA1
Modello di prodotti IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G IPP120N20NFDAKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc) 300W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 14790 pF @ 25 V 2500 pF @ 50 V 6650 pF @ 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V 12mOhm @ 84A, 10V
Numero di prodotto di base IPP120 IPP120P - IPP120
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ - OptiMOS™
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 200 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 58A (Tc) 84A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 340µA 4V @ 340µA 3.5V @ 46µA 4V @ 270µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube - Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -

IPP120P04P4L03AKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP120P04P4L03AKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP120P04P4L03AKSA1 - Infineon Technologies.

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