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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP120N20NFDAKSA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP120N20NFDAKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP120N20NFDAKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP120N20NFDAKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP120N20NFDAKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7437

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP120N20NFDAKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1

Proprietà del prodotto IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
Modello di prodotti IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc)
Numero di prodotto di base IPP120 IPP120 IPP120P -
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA 2.2V @ 340µA 4V @ 340µA 3.5V @ 46µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 58A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 40 V 40 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V 15000 pF @ 25 V 14790 pF @ 25 V 2500 pF @ 50 V

IPP120N20NFDAKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP120N20NFDAKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP120N20NFDAKSA1 - Infineon Technologies.

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