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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP04N03LA
IPP04N03LA Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP04N03LA - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP04N03LA
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP04N03LA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPI04N03LA, IPP04N03LA.pdf
In magazzino: 4810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP04N03LA
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP04N03LA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP04N03LA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 60µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 55A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP04N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP04N03LA

Proprietà del prodotto IPP04N03LA IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP048N04NG
Modello di prodotti IPP04N03LA IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP048N04NG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 100 V 100 V 40 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V 4.8mOhm @ 70A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 210 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ StrongIRFET™ 2 OptiMOS® 3
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V 13800 pF @ 50 V 3600 pF @ 50 V 3300 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 60µA 4V @ 250µA 3.8V @ 84µA 4V @ 200µA
Numero di prodotto di base IPP04N IPP04C IPP050M -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 100A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) 70A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 79W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IPP04N03LA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP04N03LA PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP04N03LA - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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