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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP04CN10NG
IPP04CN10NG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP04CN10NG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP04CN10NG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP04CN10NG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf
In magazzino: 4050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP04CN10NG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP04CN10NG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP04CN10NG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP04C  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP04CN10NG

Proprietà del prodotto IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Modello di prodotti IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.8V @ 84µA 4V @ 250µA 3.5V @ 150µA
Serie OptiMOS™ StrongIRFET™ 2 OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V 3600 pF @ 50 V 13800 pF @ 50 V 8410 pF @ 50 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numero di prodotto di base IPP04C IPP050M IPP04CN10 IPP045
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 300W (Tc) 214W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -

IPP04CN10NG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP04CN10NG PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP04CN10NG - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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