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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPG20N06S415ATMA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPG20N06S415ATMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPG20N06S415ATMA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IPG20N06S415ATMA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPG20N06S415ATMA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Potenza - Max 50W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IPG20N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2

Proprietà del prodotto IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S3L-23
Modello di prodotti IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S3L-23
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Potenza - Max 50W 43W 30W 45W
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA 2V @ 14µA 2.2V @ 15µA 2.2V @ 20µA
Tensione drain-source (Vdss) 60V 55V 55V 55V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 12nC @ 10V 23nC @ 10V 42nC @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V 35mOhm @ 11A, 10V 23mOhm @ 16A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V 410pF @ 25V 1730pF @ 25V 2950pF @ 25V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Numero di prodotto di base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

IPG20N06S415ATMA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPG20N06S415ATMA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPG20N06S415ATMA2 - Infineon Technologies.

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