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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIPG20N06S2L65AATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPG20N06S2L65AATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPG20N06S2L65AATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPG20N06S2L65AATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IPG20N06S2L65AATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 97740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPG20N06S2L65AATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPG20N06S2L65AATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPG20N06S2L65AATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 14µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 43W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount, Wettable Flank  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 55V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IPG20N  

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fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V 2260pF @ 25V 790pF @ 25V 1730pF @ 25V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 14µA 4V @ 20µA 2V @ 27µA 2.2V @ 15µA
Tensione drain-source (Vdss) 55V 60V 55V 55V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 35mOhm @ 15A, 10V 35mOhm @ 11A, 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 43W 50W 65W 30W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 29nC @ 10V 23nC @ 10V 23nC @ 10V

IPG20N06S2L65AATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPG20N06S2L65AATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPG20N06S2L65AATMA1 - Infineon Technologies.

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