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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD50N04S4-08
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD50N04S4-08 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50N04S4-08
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50N04S4-08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
IPD50N04S4-08.pdf
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50N04S4-08
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50N04S4-08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50N04S4-08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50N04S4-08

Proprietà del prodotto IPD50N04S4-08 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N04S308ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Modello di prodotti IPD50N04S4-08 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N04S308ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id - 2.2V @ 20µA 4V @ 40µA 4V @ 17µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 4.5V, 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) - ±16V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 31 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) - 30 V 40 V 40 V
Tipo montaggio - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 2330 pF @ 25 V 2350 pF @ 25 V 1780 pF @ 6 V
Contenitore / involucro - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
Dissipazione di potenza (max) - 56W (Tc) 68W (Tc) 46W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs - 5.5mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 50A, 10V 7.9mOhm @ 50A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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