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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD50N03S4L06ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50N03S4L06ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50N03S4L06ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD50N03S4L06ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 58080

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50N03S4L06ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50N03S4L06ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50N03S4L06ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD50  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50N03S4L06ATMA1

Proprietà del prodotto IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N04S4-08 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N04S308ATMA1
Modello di prodotti IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N04S4-08 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N04S308ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc) - 136W (Tc) 68W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V - 68 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V - ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) - 50A (Tc) 50A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V - 7.3mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 50A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 - PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 40 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IPD50 - IPD50 IPD50
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V - 2000 pF @ 25 V 2350 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 10V 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ - OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA - 4V @ 85µA 4V @ 40µA

IPD50N03S4L06ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD50N03S4L06ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD50N03S4L06ATMA1 - Infineon Technologies.

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