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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD380P06NMATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD380P06NMATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD380P06NMATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD380P06NMATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD380P06NMATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29166

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD380P06NMATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD380P06NMATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD380P06NMATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.7mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD380  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD380P06NMATMA1

Proprietà del prodotto IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1
Modello di prodotti IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 4.3A (Tc) 40A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.7mA 2.4V @ 39µA 4V @ 166µA 2.2V @ 13µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 71W (Tc) 19W (Tc) 42W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 35A, 10V 24mOhm @ 35A, 10V 400mOhm @ 4.3A, 10V 8.3mOhm @ 40A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 30 V 2700 pF @ 25 V 260 pF @ 30 V 1520 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base IPD380 IPD35N10 IPD40DP06 IPD40N03

IPD380P06NMATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD380P06NMATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD380P06NMATMA1 - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022.pdf

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