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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD35N10S3L-26 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD35N10S3L-26
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD35N10S3L-26
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
IPD35N10S3L-26.pdf
In magazzino: 4470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD35N10S3L-26
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD35N10S3L-26, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD35N10S3L-26

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD35N10S3L-26

Proprietà del prodotto IPD35N10S3L-26 IPD380P06NMATMA1 IPD320N20N3GATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Modello di prodotti IPD35N10S3L-26 IPD380P06NMATMA1 IPD320N20N3GATMA1 IPD33CN10NGATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 2500 pF @ 30 V 2350 pF @ 100 V 1570 pF @ 50 V
Tipo montaggio - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 35A (Tc) 34A (Tc) 27A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 1.7mA 4V @ 90µA 4V @ 29µA
Rds On (max) a Id, Vgs - 38mOhm @ 35A, 10V 32mOhm @ 34A, 10V 33mOhm @ 27A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 63 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Contenitore / involucro - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET - P-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) - 125W (Tc) 136W (Tc) 58W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) - 60 V 200 V 100 V
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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