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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD30N06S4L23ATMA2
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD30N06S4L23ATMA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD30N06S4L23ATMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD30N06S4L23ATMA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD30N06S4L23ATMA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 71930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD30N06S4L23ATMA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD30N06  

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Proprietà del prodotto IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L23ATMA3
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fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPD30N06 IPD30N IPD30N06 IPD30N06
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) 36W (Tc) 136W (Tc) 100W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 10µA 2.2V @ 10µA 2V @ 80µA 2V @ 50µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 22A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1091 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

IPD30N06S4L23ATMA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD30N06S4L23ATMA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD30N06S4L23ATMA2 - Infineon Technologies.

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