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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD30N06S3L-20
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD30N06S3L-20 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD30N06S3L-20
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD30N06S3L-20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD30N06S3L-20.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD30N06S3L-20
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD30N06S3L-20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD30N06S3L-20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD30N06S3L-20

Proprietà del prodotto IPD30N06S3L-20 IPD30N06S2L-23 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S3-24
Modello di prodotti IPD30N06S3L-20 IPD30N06S2L-23 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S3-24
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 1091 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS-T
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 17A, 10V 23mOhm @ 22A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA 2V @ 50µA 2.2V @ 10µA -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 30A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 100W (Tc) 36W (Tc) -
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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