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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD068P03L3GATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD068P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD068P03L3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD068P03L3GATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD068P03L3GATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 73940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD068P03L3GATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD068P03L3GATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD068P03L3GATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD068  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD068P03L3GATMA1

Proprietà del prodotto IPD068P03L3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LGATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Modello di prodotti IPD068P03L3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LGATMA1 IPD068N10N3GATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 150µA 2V @ 40µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 90µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF @ 15 V 2653 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V 4910 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 6.8mOhm @ 90A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 23 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IPD068 - IPD060 IPD068
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) 83W (Tc) 56W (Tc) 150W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 100 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 90A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V

IPD068P03L3GATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD068P03L3GATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD068P03L3GATMA1 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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