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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD060N03LGATMA1
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IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD060N03LGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD060N03LGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IP(D,F,S,U)060N03L G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 78840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD060N03LGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD060N03LGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD060N03LGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD060  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD060N03LGATMA1

Proprietà del prodotto IPD060N03LGATMA1 IPD068P03L3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 IPD060N03LG
Modello di prodotti IPD060N03LGATMA1 IPD068P03L3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 IPD060N03LG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPD060 IPD068 IPD068 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V 6.8mOhm @ 70A, 10V 6.8mOhm @ 90A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 70A (Tc) 90A (Tc) 50A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2V @ 150µA 3.5V @ 90µA 2.2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc) 56W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V 7720 pF @ 15 V 4910 pF @ 50 V 2300 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 100 V 30 V

IPD060N03LGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD060N03LGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies.

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