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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB80P04P407ATMA2
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB80P04P407ATMA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB80P04P407ATMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB80P04P407ATMA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB80P04P407ATMA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18087

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB80P04P407ATMA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB80P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA2

Proprietà del prodotto IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3AATMA2 IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3A
Modello di prodotti IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3AATMA2 IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 800 V 40 V 800 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 17A (Tc) 80A (Tc) 17A (Tc)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V 6085 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) 227W (Tc) 88W (Tc) 227W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 3.9V @ 1mA 4V @ 150µA 3.9V @ 1mA
Numero di prodotto di base IPB80P IPB80R IPB80P -

IPB80P04P407ATMA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB80P04P407ATMA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB80P04P407ATMA2 - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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